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各大廠搶進(jìn)3D NAND致存儲(chǔ)器價(jià)格大漲

2017-03-10 15:27:36

      據(jù)外國媒體報(bào)道,自2016年下半年以來NANDFlash在市場上供不應(yīng)求,主要是因?yàn)樵瓘S全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND,但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NANDFlash市場出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象,價(jià)格也因此直線飆升。
      但是, 3DNAND正在加速量產(chǎn),今年下半年產(chǎn)能如果能夠順利開出,將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。
2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮,例如三星和SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14 nm,西部數(shù)據(jù)(WD)和東芝進(jìn)入15nm,美光導(dǎo)入16 nm等。但因芯片線寬線距已達(dá)物理極限,2DNAND技術(shù)發(fā)展遇到了瓶頸,用1y/1z納米生產(chǎn)的2DNAND不能產(chǎn)生成本效益,于是,NANDFlash廠開始將投資主力放在3DNAND,但也因產(chǎn)能出現(xiàn)問題,NANDFlash產(chǎn)出量明顯減少,導(dǎo)致下半年價(jià)格一路飆升。
      2016年NANDFlash價(jià)錢從第二季度開始全面上升,漲勢持續(xù)到年末,主流的SSD價(jià)格漲幅超過40%,eMMC價(jià)格漲幅最高逼近6成,完全出乎市場意料。在這樣的情況下,原廠為了維持競爭優(yōu)勢,決定加速進(jìn)入3DNAND市場,而今年也會(huì)成為3DNAND市場快速成長爆發(fā)的一年,產(chǎn)能軍備競賽可說是劍拔弩張。
      以各原廠的技術(shù)進(jìn)程來看,三星上一年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3DNAND,2016年底出貨量占比已達(dá)35%,最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片,3DNAND的出貨比重將在第一季度達(dá)到45%。此外,三星不僅在西安廠全面量產(chǎn)3DNAND,韓國Fab17/18也將投入3DNAND量產(chǎn)。
      包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者,去年是3DNAND制程轉(zhuǎn)換不順的一年,良率直到去年底才見穩(wěn)定回升,生產(chǎn)比重均不及1成。不過,今年開始3DNAND量產(chǎn)情況已明顯好轉(zhuǎn),東芝及WD已開始小量生產(chǎn)64層存儲(chǔ)芯片,今年生產(chǎn)主力將開始移轉(zhuǎn)至64層3DNAND,除了Fab5開始提高投片外,F(xiàn)ab2將在本季轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)64層3DNAND,F(xiàn)ab6新廠將動(dòng)土興建并預(yù)估2018年下半年量產(chǎn)。
      SK海力士去年在36層及48層3DNAND的生產(chǎn)上已漸入佳境,M12廠已量產(chǎn)3DNAND,今年決定提升至72層,將在第1季送樣,第2季進(jìn)入小量投片,而韓國M14廠也將在今年全面進(jìn)入3DNAND量產(chǎn)階段。
      美光與英特爾合作的IMFlash已在去年進(jìn)行3DNAND量產(chǎn),去年底第二代64層3DNAND已順利送樣,今年將逐步進(jìn)入量產(chǎn),F(xiàn)10x廠 也會(huì)開始全面轉(zhuǎn)向進(jìn)行3DNAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產(chǎn)3DNAND,并將在今年開始量產(chǎn)新一代XPoint存儲(chǔ)器。
 

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